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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BYV14-TAP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Avalanche |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 300ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | SOD-57, Axial |
| Lieferantengerätepaket | SOD-57 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Einzelheiten |
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BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |
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BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Einzelheiten |