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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BYG10MHE3_A/H |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Avalanche |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AC (SMA) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BYG10D-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10D-M3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | 0 | Einzelheiten | |
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BYG10D-M3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | 0 | Einzelheiten | |
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BYG10DHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10DHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10DHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10DHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10G-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10G-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | - | 0 | Einzelheiten |
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BYG10G-M3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | 0 | Einzelheiten | |
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BYG10G-M3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | 0 | Einzelheiten |