VEMT2000X01

PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
VEMT2000X01 P1
VEMT2000X01 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Opto Division ~ VEMT2000X01

Artikelnummer
VEMT2000X01
Hersteller
Vishay Semiconductor Opto Division
Beschreibung
PHOTOTRANSISTOR NPN REV GULLWING
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Optische Sensoren - Fototransistoren
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Produktparameter

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Artikelnummer VEMT2000X01
Teilstatus Active
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Aktuell - Dunkel (Id) (Max) 100nA
Wellenlänge 860nm
Blickwinkel 30°
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Orientierung Top View
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C (TA)
Paket / Fall 2-SMD, Z-Bend

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