Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | JAN4N48A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannung - Isolation | 1000VDC |
| Aktueller Übertragungsgrad (Min.) | 100% @ 1mA |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (maximal) | 500% @ 1mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 20µs, 20µs (Max) |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (Max) | 40V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.5V (Max) |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 40mA |
| Vce Sättigung (Max) | 300mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Einzelheiten |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Einzelheiten |