TPH3205WSB

GAN FET 650V 36A TO247
TPH3205WSB P1
TPH3205WSB P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Transphorm ~ TPH3205WSB

Artikelnummer
TPH3205WSB
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GAN FET 650V 36A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- TPH3205WSB PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer TPH3205WSB
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 700µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 400V
Vgs (Max) ±18V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 22A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte