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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK290P60Y,RQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TK290A60Y,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD | - | 200 | Einzelheiten |
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TK290A65Y,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD | - | 200 | Einzelheiten |
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TK290P60Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD | - | 4000 | Einzelheiten |
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TK290P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD | - | 4000 | Einzelheiten |