TC58NVG0S3HTAI0

IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
TC58NVG0S3HTAI0 P1
TC58NVG0S3HTAI0 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58NVG0S3HTAI0

Artikelnummer
TC58NVG0S3HTAI0
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- TC58NVG0S3HTAI0 PDF online browsing
Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer TC58NVG0S3HTAI0
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 48-TSOP I

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