RN4907FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907FE,LF(CT P1
RN4907FE,LF(CT P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN4907FE,LF(CT

Artikelnummer
RN4907FE,LF(CT
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- RN4907FE,LF(CT PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Artikelnummer RN4907FE,LF(CT
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6

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