Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN2607(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 300mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SM6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2601(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 0 | Einzelheiten | |
 |
RN2602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 3000 | Einzelheiten | |
 |
RN2603(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 3000 | Einzelheiten | |
 |
RN2604(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 3000 | Einzelheiten | |
 |
RN2605(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 0 | Einzelheiten | |
 |
RN2606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 0 | Einzelheiten | |
 |
RN2607(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN2608(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 | - | 0 | Einzelheiten |