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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN1908(T5L,F,T) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 22k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 3000 | Einzelheiten | |
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RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |
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RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 6000 | Einzelheiten | |
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RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |
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RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1905,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 3000 | Einzelheiten | |
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RN1905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | 6000 | Einzelheiten | |
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RN1905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |