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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CSD17318Q2T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.1 mOhm @ 8A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 16W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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