ESH1DM RSG

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
ESH1DM RSG P1
ESH1DM RSG P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ ESH1DM RSG

Artikelnummer
ESH1DM RSG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- ESH1DM RSG PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer ESH1DM RSG
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F 3pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket Micro SMA
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

Verwandte Produkte

Alle Produkte