ES1JF R2G

DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
ES1JF R2G P1
ES1JF R2G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ ES1JF R2G

Artikelnummer
ES1JF R2G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer ES1JF R2G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-221AC, SMA Flat Leads
Lieferantengerätepaket SMAF
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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