ES1BL R3G

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
ES1BL R3G P1
ES1BL R3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ ES1BL R3G

Artikelnummer
ES1BL R3G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer ES1BL R3G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-219AB
Lieferantengerätepaket Sub SMA
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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