BC338-16 B1G

TRANSISTOR NPN 25V 0.8A 100A
BC338-16 B1G P1
BC338-16 B1G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ BC338-16 B1G

Artikelnummer
BC338-16 B1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
TRANSISTOR NPN 25V 0.8A 100A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BC338-16 B1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer BC338-16 B1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 25V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Leistung max 625mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92

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