STS8DN3LLH5

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
STS8DN3LLH5 P1
STS8DN3LLH5 P1
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STMicroelectronics ~ STS8DN3LLH5

Artikelnummer
STS8DN3LLH5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer STS8DN3LLH5
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V
Leistung max 2.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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