STI22NM60N

MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
STI22NM60N P1
STI22NM60N P1
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STMicroelectronics ~ STI22NM60N

Artikelnummer
STI22NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STI22NM60N
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 50V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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