STGW8M120DF3

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW8M120DF3 P1
STGW8M120DF3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

STMicroelectronics ~ STGW8M120DF3

Artikelnummer
STGW8M120DF3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer STGW8M120DF3
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 16A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 32A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A
Leistung max 167W
Energie wechseln 390µJ (on), 370µJ (Off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/126ns
Testbedingung 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 103ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3

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