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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GP1S562 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Sensorabstand | 0.118" (3mm) |
| Wahrnehmungsmethode | Transmissive |
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 20mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 35V |
| Reaktionszeit | 3µs, 4µs |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Snap-In |
| Paket / Fall | PCB Mount |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GP10-4002-E3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GP 100V 1A DO-41 | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 822224 | Einzelheiten |
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GP10-4002-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 860917 | Einzelheiten |
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GP10-4002-M3S/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002E-E3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 100V DO-204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002E-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 645181 | Einzelheiten |
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GP10-4002E-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002E-M3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002E-M3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002EHE3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002EHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |
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GP10-4002HE3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | - | 0 | Einzelheiten |