SP8M3FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
SP8M3FU6TB P1
SP8M3FU6TB P1
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Rohm Semiconductor ~ SP8M3FU6TB

Artikelnummer
SP8M3FU6TB
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SP8M3FU6TB
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A, 4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP

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