SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
SH8J66TB1 P1
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Rohm Semiconductor ~ SH8J66TB1

Artikelnummer
SH8J66TB1
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SH8J66TB1
Teilstatus Active
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP

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