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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 44W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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