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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RSJ250P10FRATL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 50W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS |
| Paket / Fall | SC-83 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE PCH MOSFET AEC-Q101 QU | - | 86187 | Einzelheiten |
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RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 25A LPTS | - | 0 | Einzelheiten |