RSJ10HN06TL

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
RSJ10HN06TL P1
RSJ10HN06TL P1
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Rohm Semiconductor ~ RSJ10HN06TL

Artikelnummer
RSJ10HN06TL
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer RSJ10HN06TL
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 202nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Fall SC-83

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