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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RQ6L020SPTCR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RQ6L020SPTCR | Rohm Semiconductor | RQ6L020SP IS A MOSFET WITH LOW O | - | 172952 | Einzelheiten |