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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RDD022N60TL |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 20W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RDD020N50TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RDD020N60TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 | 0 | Einzelheiten | |
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RDD022N50TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V CPT | 0 | Einzelheiten | |
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RDD022N60TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V CPT | 0 | Einzelheiten | |
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RDD023N50TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | 2500 | Einzelheiten | |
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RDD050N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 | 0 | Einzelheiten | |
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RDD08110D05 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W DUAL OUT | - | 20 | Einzelheiten |
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RDD08110D12 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W DUAL OUT | - | 59 | Einzelheiten |
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RDD08110D15 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W DUAL OUT | - | 100 | Einzelheiten |
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RDD08110S05 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W SGL OUT | - | 27 | Einzelheiten |
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RDD08110S12 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W SGL OUT | - | 145 | Einzelheiten |
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RDD08110S15 | XP Power | DC-DC CONV RAILWAY 8W SGL OUT | - | 240 | Einzelheiten |