QH8MA3TCR

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
QH8MA3TCR P1
QH8MA3TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QH8MA3TCR

Artikelnummer
QH8MA3TCR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer QH8MA3TCR
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A, 5.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Leistung max 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8

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