HS8K11TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
HS8K11TB P1
HS8K11TB P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ HS8K11TB

Artikelnummer
HS8K11TB
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HS8K11TB.pdf HS8K11TB PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer HS8K11TB
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7A, 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket HSML3030L10

Verwandte Produkte

Alle Produkte