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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | HP8S36TB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 27A, 80A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 15V |
| Leistung max | 29W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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HP8060-9RG | Bel Power Solutions | POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16 | - | 0 | Einzelheiten |
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HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | - | 2500 | Einzelheiten |
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HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 | 0 | Einzelheiten | |
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HP8S36TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, | - | 0 | Einzelheiten |