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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | EMH4T2R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 150mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | EMT6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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EMH11FHAT2R | Rohm Semiconductor | NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1206230 | Einzelheiten |
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EMH11T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | Einzelheiten | |
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EMH1405-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 | - | 0 | Einzelheiten |
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EMH15T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT | - | 0 | Einzelheiten |