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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSM180C12P2E202 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 204A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1360W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Paket / Fall | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSM180C12P2E202 | Rohm Semiconductor | BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO | - | 116 | Einzelheiten |
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BSM180D12P2C101 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 34 | Einzelheiten | |
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BSM180D12P3C007 | Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | - | 11 | Einzelheiten |