BC848BHZGT116

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
BC848BHZGT116 P1
BC848BHZGT116 P1
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Rohm Semiconductor ~ BC848BHZGT116

Artikelnummer
BC848BHZGT116
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer BC848BHZGT116
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SST3

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