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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DRA2L14Y0L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 30V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 330µA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | Mini3-G3-B |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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