SMMJT350T1G

TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
SMMJT350T1G P1
SMMJT350T1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ SMMJT350T1G

Artikelnummer
SMMJT350T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer SMMJT350T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 300V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Leistung max 650mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223 (TO-261)

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