NRVUS360VBT3G

DIODE GEN PURP 600V 3A SMB2
NRVUS360VBT3G P1
NRVUS360VBT3G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NRVUS360VBT3G

Artikelnummer
NRVUS360VBT3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A SMB2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer NRVUS360VBT3G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 3A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AA, SMB
Lieferantengerätepaket SMB
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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