NJVMJD32CT4G-VF01

TRANS PNP 100V 3A DPAK
NJVMJD32CT4G-VF01 P1
NJVMJD32CT4G-VF01 P1
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ON Semiconductor ~ NJVMJD32CT4G-VF01

Artikelnummer
NJVMJD32CT4G-VF01
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer NJVMJD32CT4G-VF01
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Leistung max 1.56W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK

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