NJVBDX53C

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
NJVBDX53C P1
NJVBDX53C P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NJVBDX53C

Artikelnummer
NJVBDX53C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer NJVBDX53C
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
Leistung max 65W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB

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