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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NDD02N40-1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 121pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 39W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NDD01N60-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD01N60T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD02N40-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK | - | 5167 | Einzelheiten |
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NDD02N40T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK | - | 7500 | Einzelheiten |
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NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V IPAK | - | 1868 | Einzelheiten |
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NDD02N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 | - | 10200 | Einzelheiten |
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NDD03N40ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3 | - | 15000 | Einzelheiten |
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NDD03N50Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD03N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD03N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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NDD03N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK | - | 0 | Einzelheiten |