MCH6661-TL-W

MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363
MCH6661-TL-W P1
MCH6661-TL-W P1
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ON Semiconductor ~ MCH6661-TL-W

Artikelnummer
MCH6661-TL-W
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer MCH6661-TL-W
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 4V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 188 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V
Leistung max 800mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket SC-88FL/ MCPH6

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