FGH50T65SQD-F155

650V FS4 TRENCH IGBT
FGH50T65SQD-F155 P1
FGH50T65SQD-F155 P1
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ON Semiconductor ~ FGH50T65SQD-F155

Artikelnummer
FGH50T65SQD-F155
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
650V FS4 TRENCH IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer FGH50T65SQD-F155
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max 268W
Energie wechseln 180µJ (on), 45µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 99nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/105ns
Testbedingung 400V, 12.5A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 31ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3

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