FDS9958-F085

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
FDS9958-F085 P1
FDS9958-F085 P1
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ON Semiconductor ~ FDS9958-F085

Artikelnummer
FDS9958-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDS9958-F085
Teilstatus Active
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 30V
Leistung max 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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