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ON Semiconductor ~ EFC3J018NUZTDG

Artikelnummer	EFC3J018NUZTDG
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	23A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-XFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket	6-WLCSP (1.77x3.05)

EFC3J018NUZTDG