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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSP52T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Leistung max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | Einzelheiten |
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BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Einzelheiten | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Einzelheiten |