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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMV40UN,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.9W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV40UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 36000 | Einzelheiten | |
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PMV42ENER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | 3000 | Einzelheiten | |
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PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 0 | Einzelheiten | |
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PMV45EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 45000 | Einzelheiten | |
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PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB | - | 744266 | Einzelheiten |
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PMV48XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 21000 | Einzelheiten | |
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PMV48XP/MIR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SOT23 | - | 6828 | Einzelheiten |
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PMV48XPAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 9000 | Einzelheiten | |
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PMV48XPVL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | - | 858336 | Einzelheiten |