AFT09S200W02GNR3

FET RF 70V 960MHZ PLD
AFT09S200W02GNR3 P1
AFT09S200W02GNR3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ AFT09S200W02GNR3

Artikelnummer
AFT09S200W02GNR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
FET RF 70V 960MHZ PLD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer AFT09S200W02GNR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 960MHz
Gewinnen 19.2dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.4A
Leistung 56W
Spannung - Bewertet 70V
Paket / Fall OM-780-2
Lieferantengerätepaket OM-780-2

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