A2T23H200W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T23H200W23SR6 P1
A2T23H200W23SR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T23H200W23SR6

Artikelnummer
A2T23H200W23SR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2T23H200W23SR6 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T23H200W23SR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinnen 15.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 500mA
Leistung 51W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall ACP-1230S-4L2S
Lieferantengerätepaket ACP-1230S-4L2S

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