A2T09VD250NR1

IC TRANS RF LDMOS
A2T09VD250NR1 P1
A2T09VD250NR1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T09VD250NR1

Artikelnummer
A2T09VD250NR1
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
IC TRANS RF LDMOS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
A2T09VD250NR1.pdf A2T09VD250NR1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T09VD250NR1
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual)
Frequenz 920MHz
Gewinnen 22.5dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 1A
Leistung 65W
Spannung - Bewertet 105V
Paket / Fall TO-270-6 Variant, Flat Leads
Lieferantengerätepaket TO-270WB-6A

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