A2I25H060NR1

IC RF LDMOS AMP
A2I25H060NR1 P1
A2I25H060NR1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2I25H060NR1

Artikelnummer
A2I25H060NR1
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
IC RF LDMOS AMP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
A2I25H060NR1.pdf A2I25H060NR1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2I25H060NR1
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual)
Frequenz 2.59GHz
Gewinnen 26.1dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 26mA
Leistung 10.5W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall TO-270-17 Variant, Flat Leads
Lieferantengerätepaket TO-270WB-17

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