A2G26H281-04SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A2G26H281-04SR3 P1
A2G26H281-04SR3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2G26H281-04SR3

Artikelnummer
A2G26H281-04SR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2G26H281-04SR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.496GHz ~ 2.69GHz
Gewinnen 14.2dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 150mA
Leistung 50W
Spannung - Bewertet 125V
Paket / Fall NI-780S-4L
Lieferantengerätepaket NI-780S-4L

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