A2G22S251-01SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A2G22S251-01SR3 P1
A2G22S251-01SR3 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2G22S251-01SR3

Artikelnummer
A2G22S251-01SR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2G22S251-01SR3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer A2G22S251-01SR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 2.2GHz
Gewinnen 17.7dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 200mA
Leistung 52dBm
Spannung - Bewertet 125V
Paket / Fall NI-400S-2S
Lieferantengerätepaket NI-400S-2S

Verwandte Produkte

Alle Produkte